单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器

摘要：

制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器.获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5～3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器.同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析.

关键词：单电源、InGaP/InGaAs、LNA

所属期刊栏目：6

分类号：TN325+3(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关项目97-706;中国科学院重大项目KJ951-B1-706-05

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：161-164