RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

摘要：

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.

关键词：RF、SOI、浮体、放大器

所属期刊栏目：6

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：150-153