非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

摘要：

研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法(VGF)生长技术,解决了Si沾污和C浓度的控制问题,得到了直径2英寸非掺半绝缘低位错单晶.测试表明:该单晶的位错密度较LEC单晶下降近一个数量级,电学参数与LEC单晶类似,接近国外VGF单晶的参数指标.

关键词：垂直凝固(VGF)、半绝缘GaAs单晶、晶体生长

所属期刊栏目：6

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：125-128,79