反应溅射Si-C-N薄膜的结构分析

摘要：

本文用射频反应磁控溅射制备了SiCN薄膜,对薄膜的化学成分、结构进行了研究.结果表明,反应气体N2、Si、C三者之间形成了Si-C、Si-N和C-N键,构成了复杂的网络结构.成分分析表明薄膜的化学计量式近似为SiCN.对比分析了反应溅射制备SiCN、CNx、SiNy和SiCz薄膜的FTIR谱.

关键词：SiCN薄膜、结构分析、XPS、FTIR

所属期刊栏目：6

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目59782006;科技部攀登计划07-01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：59-63