半导体技术发展趋势探究——以射频功率放大器为例

摘要：

在分析射频功率放大器(RF PA)的半导体材料、芯片研究现状基础上,总结了半导体技术的发展趋势.通过对半导体材料的特性和PA芯片的性能指标进行分析,发现三代半导体材料皆有优缺点,可根据需要将其分别应用在不同场景,实现共同进步、协调发展.随着PA芯片面积逐渐减小、频率不断增大,对第三代半导体材料和硅基合成材料功放的研究将是未来的热点.为了进一步加快PA的研究进程,通过文献调研总结了半导体技术的5个发展趋势,为RF PA的性能提升和技术发展提供了重要参考,可为我国突破国外厂商壁垒,进一步提升在电子信息、芯片研发领域的核心竞争力奠定一定基础.

关键词：半导体技术、射频功率放大器、半导体材料、半导体芯片

所属期刊栏目：43

分类号：TN721(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金;中国科学院“西部之光”人才培养引进计划

在线出版日期：2023-11-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：271-281