基于低功耗增强型In0.25Ga0.75As沟道MOSFET器件

摘要：

为了实现低功耗的应用,设计了一种增强型InGaAs沟道MOSFET器件,通过改变InGaAs沟道中的In组分和器件掺杂层中的P型掺杂浓度,对器件的Ⅰ-Ⅴ特性进行了模拟仿真和分析.实验结果表明:8μm栅长的增强型InGaAs沟道MOSFET器件的关态电流小于1×10-8 mA/mm,器件的开关比达到9个量级,说明了降低InGaAs沟道的In组分和提高InAlAs掺杂层中的P型掺杂浓度能够降低器件的关态电流,增大器件电流开关比,从而实现了低功耗的器件性能.

关键词：低功耗器件、In组分、InGaAs、MOSFET

所属期刊栏目：38

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61474031,61465004,61464003;广西自然科学基金2016GXNSFDA380021;桂林市科技开发项目20160216-1;桂林电子科技大学研究生教育创新计划2016YJCX15

在线出版日期：2018-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：87-91