具有部分n+浮空埋层的高压SJ-LDMO S器件新结构

摘要：

为了抑制衬底辅助耗尽(SAD)效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分 n+浮空层 SJ-LDMOS 新结构。n+浮空等位埋层能够调制器件横向电场,使得 partial n+-floating SJ-LDMOS比传统 SJ-LDMOS 具有更加均匀的电场分布。通过三维仿真软件对新器件结构分析,与传统 SJ-LDMOS进行比较。仿真结果表明,具有部分 n+浮空层 SJ-LDMOS结构的器件能将器件的击穿电压从138 V提高到302 V,且比导通电阻也从33.6 mΩ·cm2降低到11.6 mΩ·cm2,获得一个较为理想的低导通电阻高压功率器件。

关键词：部分 n+浮空层、SJ-LDMOS、击穿电压

分类号：TN323+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61274077;电子薄膜与集成器件国家重点实验室项目KFJJ201205;桂林电子科技大学研究生教育创新计划GDYCSZ201416

在线出版日期：2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：369-372