Sb掺杂LiBiO3电子结构的第一性原理计算

摘要：

通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进行研究,试图从理论角度探寻合适的光催化材料.计算结果表明,空间群为Pccn的正交LiBiO3为直接半导体,DFT计算带隙为0.23 eV,而采用HSE泛函形式的计算带隙为1.18 eV,较为接近实验测定值.随着Sb掺杂量的增加,LiBi1-xSbx O3的计算带隙逐渐加大,与纯LiBiO3相比,Sb掺杂体系中出现了具有更强键合作用的Sb-O键,有利于改善体系的光催化性能.

关键词：LiBiO3、第一性原理计算、Sb掺杂、光催化性能

所属期刊栏目：33

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金11164005,50901023;广西自然科学基金2010GXNSFD013009,2012GXNSFGA060002

在线出版日期：2013-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：339-344