10.3969/j.issn.1673-808X.2005.03.021
反应烧结法制备硅钼化合物
为研究反应烧结方法制备MoSi2及Mo5Si3的可行性和可用性,对Mo,Si混合粉末在无压和热压条件下的反应烧结进行了系统的研究,结果表明:反应烧结法可以制备纯MoSi2和Mo5Si3,其最低反应烧结温度分别为1200℃和1300℃左右,但通过球磨混合粉末的方法可以达到降低粉末反应烧结温度的目的,对于制备Mo5Si3而言,至少可以使反应温度降低100℃;研究也表明Mo-66.6at.%Si混合粉末热压反应烧结制备MoSi2的过程可分为四个阶段.
MoSi2、Mo5Si3、反应烧结
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TG146.4(金属学与热处理)
2005-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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