期刊专题

10.3969/j.issn.1673-808X.2000.03.009

铁电存储器及研究进展

引用
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器.本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等.

铁电薄膜、铁电存储器FRAM、FFET、FDM、FDRAM

20

O48(固体物理学)

国家科技预研项目30.2.5.1

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

37-40

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桂林电子工业学院学报

1673-808X

45-1351/TN

20

2000,20(3)

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