重塑半导体全球发展新格局

摘要：

作为近年来迅速发展起来的以碳化硅、氮化镓为代表的先进半导体材料,第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优点,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等重点产业发展的重点新材料,也是全球半导体产业技术创新和产业发展的热点.

在线出版日期：2018-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：22-25