T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究

摘要：

利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下，不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明：采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能；T型发射区结构对700～1200 nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用；当衬底少子寿命一定时，太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大，而开路电压随T型发射区深度的增大而减小；当T型发射区深度大于80μm时，对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池，T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。

关键词：单晶硅、太阳电池、发射区、深度、少子寿命、转换效率、量子效率

所属期刊栏目：26

分类号：TP1;TJ7

在线出版日期：2016-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：315-321