用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究

摘要：

在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al2O3以及GaN/α-Al2O3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究.重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了其表面性质,用霍尔测量研究了其电学性质.X射线衍射的结果表明,直接在α-Al2O3上生长得到的是InN多晶薄膜;而在GaN/α-Al2O3上得到的InN薄膜都只有(0002)取向,并且没有金属In或是In相关的团簇存在.综合分析可以发现,在650℃时无法得到InN薄膜,而在温度550℃时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量.

关键词：氮化铟(InN)、薄膜、氢化物气相外延(HVPE)

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分类号：TN3;O47

资助基金：973计划2011CB301900,2012CB619304,2010CB327504;863计划2014AA032605;国家自然科学基金60990311,61274003,60936004,61176063;江苏省自然科学基金BK2011010

在线出版日期：2014-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：971-974