采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计

摘要：

给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗.该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power-gating技术与高阈值(high-Vth)器件相结合的低功耗设计应用于外围电路,进一步降低漏电流.基于UMC 55nm SPCMOS工艺制造了包含多个SRAM实例(instance)的测试芯片,测试结果证明了该技术的有效性与可靠性.

关键词：静态随机存储器(SRAM)、低功耗、钳位二极管、漏电流

所属期刊栏目：24

分类号：TN6;TM7

资助基金：国家自然科学基金61272105,61076102

在线出版日期：2014-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：171-176