紧凑结构的宽带毫米波单片IQ混频器的设计

摘要：

采用0.15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26～40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器.该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构,并把螺旋型Marchand巴伦(平衡-不平衡变换器)用于本振端和射频端,将单端信号转换成差分信号,极大地缩小了芯片的面积,整块芯片面积为1.5mm×1.35mm.芯片在片测试结果表明混频器性能良好,变频损耗在26～40 GHz射频频带范围内为-6.5～-13dB,中频带宽为DC ～ 6GHz,镜像抑制度(IMRR)在18～26dB之间,本振到射频的隔离度大于23dB,本振到中频的隔离度大于29dB,射频到中频的隔离度大于26dB.

关键词：IQ混频器、耦合器、巴伦、变频损耗、镜像抑制度、单片电路

所属期刊栏目：22

分类号：TN9;TQ1

资助基金：973计划2010CB327404;国家自然科学基金60901012

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1299-1303