基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计

摘要：

详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽,利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington-Cascode结构,在此基础上,基于台积电TSMC 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款芯片面积小的满足超宽带(UWB)标准的无电感SiGe异质结双晶体管(HBT)低噪声放大器(LNA).该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容(LC)匹配网络结构,实现了输入、输出阻抗匹配,未采用无源电感,节省了芯片面积,芯片面积仅为0.046mm2,并将Darlington-Cascode结构作为LNA的输出级,既提高了增益,又提高了线性度.LNA版图仿真结果表明,在UWB频带范围内,LNA的增益为19.5～20 dB,增益平坦度为±0.25dB;输入、输出匹配良好；线性度为-5 ～-2dBm；在整个频段内,无条件稳定.

关键词：低噪声放大器(LNA)、SiGe异质结双极晶体管(HBT)、电阻反馈、线性度、共射-共基放大器

所属期刊栏目：22

分类号：TN4;TN9

资助基金：国家自然科学基金60776051,61006044,61006059;北京市自然科学基金4082007,4122014

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1070-1076