基于2μm GaAs HBT工艺的L型分布式放大器设计

摘要：

为满足电子系统对放大器的带宽性能要求,基于2μm砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种新的分布式放大器.设计采用了输入电容耦合技术和L型传输线结构,有效提升了放大器的频率性能.测试结果显示,该放大器的3dB带宽达到14GHz,在1.2GHz～10.5GHz频率范围内增益为6.6dB,带内增益平坦度为±0.5dB,输入回波损耗小于-14dB,输出回波损耗小于-8.8dB,表现出了高增益和大带宽的特性.

关键词：分布式放大器、人工传输线、异质结晶体管、超宽带(UWB)、砷化镓(GaAs)

所属期刊栏目：22

分类号：TN7;TN4

资助基金：国家自然科学基金61106021;江苏省高校自然科学研究项目11KJB510019;中国博士后基金20090461049,20090461048;江苏省博士后资助计划0901022C;科技部中小企业技术创新基金11C26213211234

在线出版日期：2013-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1064-1069