低功耗低相位噪声4.8GHz CMOS压控振荡器芯片设计

摘要：

采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4.8GHz电感电容压控振荡器.此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构,降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗.电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法.在不恶化相位噪声性能的前提下,核心电路还采用3比特的开关电容阵列提高了振荡器的频率调谐范围.测试结果表明,在电源电压为1.8V时,此振荡器的频率调谐范围可达20％,可有效克服因电源波动、工艺角偏差以及温度变化等而引起的偏差；振荡频率为4.8GHz时,频偏为3MHz处的相位噪声为-121.68 dBc/Hz.芯片带焊盘面积为700μm×900μm.核心电路仅消耗1.5mA电流.

关键词：压控振荡器(VCO)、低功耗、低相位噪声、谐振腔设计、无线传感器网络(WSN)

所属期刊栏目：21

分类号：TN7;TN4

资助基金：863计划2007AA01Z2a7

在线出版日期：2012-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1285-1290