超宽带SiGe HBT低噪声放大器的设计和分析

摘要：

设计了一款具有电阻反馈的新型超宽带(UWB)SiGe HBT低噪声放大器(LNA).因为摒弃了使用占片面积大的电感,所以极大节省了放大器的芯片面积和制作成本.在新型放大器的反馈支路中,使用了复合分布式电阻和隔直流电容,代替了传统的单一电阻.用这种方式设计的LNA,仅通过调整与电容串联的电阻就可以极大地改善放大器的端口匹配,同时不牺牲偏置.最终设计出的LNA版图面积仅为0.144mm2.仿真实验显示,在3.1～10GHz超宽频带内,新型UWB LNA实现了低于4.5dB的噪声系数、高达20dB的增益(增益平坦度仅为1.032dB),小于1.637的输出端驻波比,大于2.3的稳定因子.此研究成果对设计开发低成本、高性能的单片UWB LNA具有重要指导意义.

关键词：低噪声放大器(LNA)、SiGe异质结双极晶体管、超宽带(UWB)、阻抗匹配、噪声系数

所属期刊栏目：21

分类号：TN3;TN2

资助基金：国家自然科学基金60776051,61006059,61006044;北京市自然科学基金4082007;国家公派专项研究生奖学金[2010]3006

在线出版日期：2011-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：77-82