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10.3772/j.issn.1002-0470.2008.08.013

CuxTe薄膜的结构及其对CdTe太阳电池性能的影响

引用
用真空共蒸发法制备了CuxTe薄膜并将其运用于CdTe太阳电池中.对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,比较了有、无CuxTe插层的CdTe太阳电池的暗态,I-V特性和C-V特性.结果表明,刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分Cu/Te配比较低的薄膜出现多晶结构.CuxTe插层的引入有利于消除roll over(暗态I-V曲线饱和)现象,使电池的二极管理想因子和暗饱和电流密度降低,CdTe掺杂浓度增加,有效地改善了CdTe太阳电池的性能.用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CDS/CdTe小面积(0.0707cm2)太阳电池.

CuxTe薄膜、背接触、CdTe太阳电池

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TG1;TN3

863计划2003AA513010;教育部博士点基金213050610023,;四川省应用基础项目2006J13-083

2008-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1002-0470

11-2770/N

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2008,18(8)

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