嵌入式存储器内建自修复电路的一种改进设计

摘要：

研究了存储器内建自测试(MBIST)和存储器自修复(MBISR)技术,改进了基于一维冗余(冗余行块)结构的嵌入式存储器修复策略.首先将存储阵列和冗余阵列划分为多个行块,然后采用存储器自测试方法定位故障单元的行地址和行块地址,最后任何可利用的冗余块可以被用来修复故障单元.通过16×32比特静态随机存取存储器(SRAM)的电路自修复实验,验证了该修复策略的可行性和较高的故障修复率.与传统的基于一维冗余结构的修复策略相比,该修复策略提高了替代故障单元方法的灵活性和冗余资源利用率,从而提高了存储器的故障修复率.

关键词：行块、存储阵列、芯片电子系统、嵌入武存储器、自测试、自修复

所属期刊栏目：18

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金;航空基础科学基金20062D52044;04152068

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：162-166