毫米波单片集成低噪声放大器电路

摘要：

基于0.25μm PHEMT(赝配高电子迁移率场效应晶体管)工艺,给出了一款毫米波MMIC(单片集成电路)低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得了较好的输入驻波比和较低的噪声;采用直流偏置上加电阻电容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好:输入输出驻波比小于2.0,增益大于15dB,噪声系数小于3.0dB.1dB压缩点输出功率大于15dBm,芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.这是国内报导的面积最小、性能最好的毫米波低噪声放大器.

关键词：PHEMT、毫米波、微波单片集成电路、低噪声放大器

所属期刊栏目：17

分类号：TN7(基本电子电路)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA834025

在线出版日期：2007-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：11-14