掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究

摘要：

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0.9La0.1)TiO3, PLT10]铁电薄膜.用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构.分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.测试了PLT10铁电薄膜的电学参数,研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365,介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.20×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.

关键词：掺镧钛酸铅、铁电薄膜、溅射、热释电

所属期刊栏目：16

分类号：TM91

资助基金：国家自然科学基金50132020;国家自然科学基金60471044

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1149-1153