低温砷化镓的外延lift-off和范德华贴附研究

摘要：

研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法:腐蚀掉100 nm厚的AlAs牺牲层,将外延生长的500 nm厚的低温砷化镓(LT-GaAs)从生长衬底上揭下(lift-off),借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上.Lift-off之前在LT-GaAs表面上滴附黑蜡,以增强在lift-off过程中对LT-GaAs的保护,和加快反应气体扩散离开反应区的过程.针对500 nm厚的LT-GaAs外延薄膜的揭起和贴附,给出了低温砷化镓的最佳lift-off尺寸和提高范德华力贴附质量的实验技术.此外还给出了利用所得到的lift-off后的LT-GaAs制备的共平面条形结构光导开关的时间特性:上升时间小于1.5ps,FWHM小于2 ps.

关键词：低温砷化镓、外延lift-off、范德华力贴附、光导开关

所属期刊栏目：16

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：德国学术交流中心资助项目;教育部留学基金

在线出版日期：2006-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：163-166