有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析

摘要：

阐述了量子点内能级结构与应变的关系,用ANSYS7.1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下InAs/GaAs量子点的应变分布,通过对计算结果的比较,讨论了两种情况下不同的应变分布对量子点电子结构影响的不同结果,指出有缺陷时量子点各能级的改变量都与无缺陷时不同,无缺陷时应变的作用只是使能级平行移动;有缺陷时,缺陷将使量子点内能级结构复杂化,有缺陷时发光波长和发光光谱都比无缺陷时复杂.

关键词：量子点、应变、缺陷

所属期刊栏目：15

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA311070;国家重点实验室基金

在线出版日期：2005-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49