硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制

摘要：

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.

关键词：Si衬底、MOCVD、GaN、LED、多量子阱

所属期刊栏目：15

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA302160;信息产业部电子信息产业发展基金

在线出版日期：2005-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61