硅衬底RF集成电路螺旋电感品质因数Q的优化

摘要：

详细分析了RF集成电路硅衬底螺旋电感(SIOS)的一种物理模型,该模型考虑了衬底效应.通过MATLAB仿真,得出了衬底损耗对螺旋电感品质因数Q的影响.在此基础上对金属线宽和线间距进行了严格的数值优化,实现了在设计要求不变的前提下螺旋电感Q的优化,并进一步推导出了最优化线圈宽度的近似解析式.采用优化结果进行设计,可以使Q得到明显提高.

关键词：SIOS、品质因数、衬底损耗、优化

所属期刊栏目：13

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-SOC-Y-3-3-2;国家自然科学基金60025103,69971015

在线出版日期：2003-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10