10.3321/j.issn:1002-0470.2003.03.015
溶胶-凝胶法制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜
用溶胶-凝胶法制备了具有良好光学性质和C轴取向的ZnO:Fe薄膜.ZnO:Fe薄膜具有尖锐的带边发光,禁带宽度约为3.3eV,半高宽13nm.磁性测量表明,ZnO:Fe薄膜在室温下具有铁磁性,饱和磁化强度约为10-3emu量级,矫顽力为30奥斯特(Oe).
溶胶-凝胶法、氧化锌、稀磁半导体
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TN3(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA311110;国家重点基础研究发展计划973计划G2000068305
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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