高质量ZnO薄膜的退火性质研究

摘要：

在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃～800℃四个不同温度的退火.利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响.退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnO X射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致.由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高.

关键词：氧化锌薄膜、退火、光致发光、金属有机气相外延沉积

所属期刊栏目：12

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G001CB3095

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48