GaN基材料及其在短波光电器件领域的应用

摘要：

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.本文介绍了GaN基半导体材料的各种特性、材料生长以及在光电器件领域的应用,并对存在的问题和今后的发展趋势提出了自己的看法.

关键词：GaN、材料性质、外延生长、半导体器件

所属期刊栏目：12

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-715-011-0033;国家自然科学基金69976008

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：104-110