Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

摘要：

用氢化物气相外延(HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料.透射电子显微镜(TEM)的研究结果表明,横向外延区域GaN的位错密度明显减小.由于SiO2掩膜腐蚀角的不同(分别为90°和66°),导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌.微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成,每一条曲线有三个振动模,分别对应Si振动模式(520cm-1),E2模式(566cm-1)和E1(LO)模式(732cm-1).在垂直条纹方向,峰位和峰宽没有明显的变化,而峰强约5μm会发生周期性变化.

关键词：微结构和光学性质、HVPE横向外延GaN、Si(III)衬底

所属期刊栏目：12

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家自然科学基金60025411;国家自然科学基金69976014,69636010,69806006,69987001;国家高技术研究发展计划863计划863-307-12-305 863-715-001-0220,863-715-011-0031

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：47-49