等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

摘要：

以正硅酸乙酯(TEOS)/C4F8/Ar为气源,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了低介电常数a-SiCOF介质薄膜,并借助X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究.

关键词：等离子体增强化学气相淀积、a-SiCOF薄膜、稳定性、XPS、FTIR

所属期刊栏目：11

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家自然科学基金69776026;高等院校骨干教师基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55