掺铟LiNbO3晶体抗光折变效应增强机理的研究

摘要：

在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol%):LiNbO3和In(3mol%):LiNbO3晶体.研究In:LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In3+使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理.

关键词：In:LiNbO3晶体、抗光折变能力、光斑变形法和全息法

所属期刊栏目：11

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G19990330

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：97-99