位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用

摘要：

对用氢化物气相外延（HVPE）方法生长的n型GaN进行光助电化学（PEC）腐蚀研究，发现了位错中止腐蚀的直接证据，并对其机理作了探讨。

关键词：氢化物气相外延(HVPE)、光助电化学(PEC)腐蚀、位错中止腐蚀

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分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-715-001-0220,863-715-011-0031,863-307-12-305;国家自然科学基金69976014,69806006,69987001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：94-95,98