MOVPE 生长 InGaN/GaN 单量子阱绿光LED

摘要：

采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电流的关系。室温正向偏置下 ，在20mA的注入电流时，发光波长峰值为530nm，半高宽为30nm。当注入电流小于40mA时 ，发光强度随注入电流的增大单调递增。这是中国国内首次研制出的InGaN单量子阱结构的 绿光LED。

关键词：MOVPE、InGaN、单量子阱、绿光LED

所属期刊栏目：11

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：38-39