带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵

摘要：

报导了带有腔面非注入区的808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果.在器件前后腔面处引入25μm非注入区,填充密度为17%的1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达87W,热沉温度是25℃,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高40%.器件在连续15W下恒功老化,工作寿命超过5000h.

关键词：激光二极管列阵、非注入区、COD、GaAs/AlGaAs

所属期刊栏目：10

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：9-11