Si基GaN紫外光探测器

摘要：

报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质.探测器的光谱响应表明,这种GaN探测器在紫外波段250～360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边.在357nm波长处,测得5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度随外加偏压的增加而增加,5V时达到饱和.通过拟合光电流响应随入射光调制频率的变化关系,得到GaN探测器的响应时间为4.8ms.

关键词：紫外光导探测器、GaN外延层、响应度

所属期刊栏目：10

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院资助项目69987001,69636010,69806006;国家科技攻关项目69987001,69636010,69806006

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：16-18