光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN

摘要：

采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层.结果表明,铝和镓的并入效率基本相等,这有别于其他研究报道.此外,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型,它表明,光加热对预反应有较大的影响.结合GaN的生长可以看出,光加热有利于抑制预反应,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性.

关键词：AlGaN、GaN、金属有机化学气相淀积、气相寄生反应

所属期刊栏目：10

分类号：O6(化学)

资助基金：新材料领域项目;中国科学院资助项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36