P型GaN和AlGaN外延材料的制备

摘要：

研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0.13Ga0.87N的生长工艺,包括掺杂剂量和热退火条件,对材料电学性质的影响.得到了性能优良的P型材料,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管.

关键词：P型、GaN、AlGaN

所属期刊栏目：10

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：新材料领域项目863-715-001-0010;中国科学院资助项目69789601

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：26-29