高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

摘要：

用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了AlxGa1-xN/GaN二维电子气(2DEG)结构.Al0.13Ga0.87N(700nm)/GaN(600nm)异质结的室温电子迁移率达1024 cm2/Vs,而GaN体材料的室温电子迁移率为390 cm2/Vs;该异质结的77 K电子迁移率达3500 cm2/Vs,而GaN体材料的电子迁移率在185 K下达到峰值,为490 cm2/Vs,77 K下下降到250 cm2/Vs.2DEG的质量属国内领先水平,并接近国际领先水平.

关键词：GaN、2DEG、MOVPE

所属期刊栏目：10

分类号：TQ16

资助基金：新材料领域项目863-715-001-0010;中国科学院资助项目69789601

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15