能隙阶梯缓变结构Si1-xGex/Si光电探测器

摘要：

提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器--能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/Si PIN型近红外光电探测器.理论分析表明,能隙缓变增大了载流子的离化率,价带的不连续则有利于空穴离化,从而对载流子的收集有利,可获得高的光电响应.实验结果表明,该探测器具有良好的I-V特性,反向漏电低达0.1μA/mm2(-2V).该探测器主峰值波长在0.96μm.其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大,在同等条件下其光电流响应约为商用Si-PIN探测器的15倍.

关键词：能隙梯度、光电响应度、离化、耗尽层

所属期刊栏目：10

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：新材料领域项目863-307-05-06;中国科学院资助项目69636010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：10-12