InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管

摘要：

报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构,并研制成功发射波长分别为 430～450 nm和520～540nm的蓝光和绿光LED.据查,这是国内首次有关六方GaN基绿光LED的报道.

关键词：GaN、双异质结、蓝光LED、绿光LED

所属期刊栏目：10

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：新材料领域项目863-715-010-0010

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：43-45