生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响

摘要：

对利用超低压化学气相淀积(VLP-CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延(MBE)的结果,这种现象与VLP-CVD表面控制反应模式有关.实验表明,选择适当的生长温度可以在Si上自组织生长具有窄尺寸分布和高密度的Ge量子点.

关键词：Ge量子点、超低压化学气相淀积、自组织生长

所属期刊栏目：10

分类号：O6(化学)

资助基金：中国科学院资助项目69706004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37