10.3321/j.issn:1002-0470.2000.01.027
In(Ga)As自组织量子点激光器获重大突破
@@ In(Ga)As/GaAs量子点体系因其独特、优越的光电性质,成为替代目前InP基材料,制备光纤通讯用1.3μm长波长激光器的热门材料之一,引起各国科学家的高度重视.许多科研小组已投入很多的财力和物力进行这种激光器的研制与开发,迄今已有美国德克萨斯大学、日本NEC实验室、日本富士通实验室及德国PDI研究所和俄罗斯约飞联合小组等几个研究小组成功制备了波长在1.3μm的室温激射量子点激光器.
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TN3;TN2
2007-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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