高纯氮化镓外延材料的制备

摘要：

用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓(GaN)外延材料.未掺杂GaN显n型,室温下(300K)背景电子浓度为1.6×1017cm-3,电子迁移率为360cm2/V.s.在195K附近电子迁移率达到峰值,为490cm2/V.s.发现了该材料中存在深施主能级,其离化能约为38meV.

关键词：高纯、MOVPE、GaN

所属期刊栏目：8

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：35-37