半导体SiC材料的外延生长

摘要：

SiC具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前景.本文简要介绍SiC半导体材料的液相外延、化学气相和分子束外延生长的概况及生长过程中杂质的控制.

机标关键词：半导体器件、半导体材料、分子束外延生长、临界击穿电场、饱和漂移速度、紫外探测器、发光二极管、应用前景、液相外延、禁带宽度、介电常数、化学气相、热导率、耐高温、抗辐照、大功率、杂质、面具、控制、高频

所属期刊栏目：8

分类号：TB3;TN3(工程材料学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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