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10.3321/j.issn:1002-0470.1998.01.002

一种新型半导体超辐射集成光源

引用
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制.实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源.

超辐射发光管、半导体光放大器、集成光源

TN91

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1002-0470

11-2770/N

1998,(1)

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