10.3969/j.issn.1004-0676.2018.01.005
稀土元素掺杂AgSnO2的电子结构与弹性常数研究
AgSnO2触头材料中的SnO2是一种高硬度并且近乎绝缘的宽禁带半导体材料,使得触头材料的电阻增大,加工成型困难,用稀土元素La、Ce、Y掺杂SnO2可以改善触头材料的性能.基于密度泛函理论的第一性原理,运用平面波超软赝势法,对SnO2和掺杂稀土元素的SnO2进行电子结构和弹性常数的计算.结果表明,掺杂可以提高导电性能、降低 SnO2的硬度,其中添加稀土元素La的SnO2的硬度最小;Y掺杂SnO2的硬度较小、导电性最高且普适弹性各向异性的指数最小.
触头材料、第一性原理、稀土掺杂、导电性、弹性常数
39
TM501(电器)
国家自然科学基金51777057
2018-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
30-36