低温密闭消解-KIO3电位滴定法测定金合金中常量锗

摘要：

研究了低于GeCl4挥发温度密闭分解含锗的金合金的技术、KIO3电位滴定常量Ge的方法和提高方法选择性的条件；比较了电位与传统碘淀粉终点指示法对分析结果准确度、精密度,终点稳定性和敏锐度,方法选择性等的影响.结果表明:在优化条件下,控制消解温度不超过75℃时,9mL HCl -2 mL H2O2能完全消解0.10g样品,且无Ge的损失.经蒸馏分离收集锗,消除Au(Ⅲ)及常见共存离子的影响.电位终点指示法与传统碘淀粉终点指示法对锗滴定结果准确度基本一致,电位终点指示法实用性更强.方法用于AuGe12、AuGeNi12-2、AuAgGe18.8 -12.5、AuAgGeNi43.8 -6-0.2等系列金锗合金中6％～13％锗含量的测定,标准偏差和相对标准偏差分别为0.0214％～0.0450％和0.304％ ～0.391％,样品加标回收率99.11％ ～ 100.99％.

关键词：分析化学、电位滴定、锗、金合金、低温、密闭分解、蒸馏

所属期刊栏目：33

分类号：O655.2(分析化学)

资助基金：国家高技术研究发展计划基金2012AA063203、2012AA063207;昆明贵金属研究所研究与发展基金GY-08-RD27

在线出版日期：2012-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：33-38