基于CMOS工艺的Si-LED器件设计与测试

摘要：

采用CSMC(华润上华)0.5 μm CMOS工艺设计和制备了正向偏置和反向偏置情况下发出两种不同种类光的Si-LED.在室温条件下,对器件进行了初步测试,正向导通电压为0.7 V,反向击穿电压为7.5V.器件的结构采用P-base层与n+区交叠,形成Si-pn结LED.观察了Si-LED发光显微照片及实际器件的版图,并对器件的发光进行了光谱特性测量.Si-LED在正向偏置时,发出红外光,其发光峰值在1125nm;Si-LED在反向偏置时,发出可见光,其发光峰值在725m.

关键词：Si-LED、CMOS工艺、P-base、正向偏置、反向偏置

所属期刊栏目：28

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2011-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18